不同类型的超低IQ惠州 稳压LDO简介

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不同类型的超低IQ 惠州稳压LDO简介:

①恒定偏置稳压LDO稳压器

传统上的超低IQCMOS稳压LDO使用恒定偏置（constantbiasing）原理。这表示在能够提供的输出电流范围内，接地电流消耗保持相对恒定。如MC78LC或NCP551器件，各自的接地电流IGND（或静态电流IQ）分别为1.5 μA和4μA。这些器件非常适合性能要求相对不那么严格的电池供电应用。它们的主要劣势是动态性能较差，如负载及线路瞬态、PSRR或输出噪声等。通常可以使用较大的输出电容来调节动态性能。图1显示了通过将输出电容由1 μF增加至100 μF来改善MC78LC的负载瞬态过冲及欠冲。

但提升输出电容COUT并不总是能够提供想要的性能，甚至还可能更麻烦，因可能需要增加额外保护二极管，或某些应用要求快速设定时间、小尺寸方案或小浪涌电流。在这些情况下，推荐使用后文提到的一些更新的稳压LDO。

②正比例偏置稳压LDO稳压器

为了改善恒定偏置（恒定IGND）稳压LDO较弱的动态性能，一些相对较新器件的接地电流与输出电流成正比例地变化。这样的稳压LDO有如迅瑞创芯的NCP4681及NCP4624，两者的典型静态电流分别为1μA和2μA。图2显示了正比例IGND 稳压LDO所使用的概念。这些器件被设计为在输出电流IOUT 》 2 mA时IGND开始上升。这就确保稳压LDO在轻载时的电流消耗实际上恒定，符合数据表中的IQ规格。

NCP4681、NCP4624的IGND vs. IOUT

③自适应偏置稳压LDO稳压器

为了同时提供极佳的动态参数及超低IQ，最新代的迅瑞创芯稳压LDO应用了称作“自适应接地电流”的技术。这些稳压器使用特殊技巧来在某种输出电流电平提升接地电流，而不会损及轻载能效。正因为此，终端应用可以提供良好的负载/线路瞬态、PSRR及输出噪声性能的优势。带自适应偏置技术的IC有如NCP4587/NCP4589及NCP702，IQ分别为1.5 μA和9 μA。NCP702还在噪声方面进行了额外优化，100 Hz至100 kHz噪声带宽时的典型噪声仅为11.5 μVRMS。它非常适合于为要求长电池使用时间及小方案尺寸环境中的敏感模拟及射频电路供电。

三类超低IQ 稳压LDO动态性能比较：

示了上述三类超低IQ稳压LDO的接地电流与输出电流对比图。比较中使用的所有稳压LDO都具有在1μA至1.5μA之间的极相近静态电流规格。它们的接地电流与输出电流的相关关系大为不同。因此，这些稳压器的动态性能也差异极大。NCP4587作为自适应偏置稳压LDO，其负载瞬态性能优势很明显。

AE引脚功能：

另一值得提及可以用于改善超低IQ稳压LDO动态参数的特性通常称作Auto-ECO（AE）功能。将额外的AE引脚设为逻辑低电平时，用户可以将稳压LDO稳压器配置为自适应接地电流超低IQ稳压LDO。将AE引脚拉至高电平时，低输出电流时的接地电流消耗上升至约40μA，实质提升从极轻载到高负载条件下的负载瞬态响应。在负载电流较大时，两种工作模式下IGND大致相等，动态性能基本没有差别。图7显示了AE引脚状态影响稳压LDO稳压器的接地电流消耗。

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