惠州超低静态电流LDO低噪音且高PSRR

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超低静态电流LDO低噪音且高PSRR：

因此，为了克服常数偏置法的局限性，ON Semiconductor 采用巧妙的偏置惠州方案开发出一种LDO。改变接地电流或IQ电流与输出电流的输出关系，新LDO改善了常数偏置LDO动态性能相对较弱。两种类似的产品是 NCP4681 和 NCP4624，典型的静态电流是 1 μA 和 2 μA。 2 解释了这些超低 IQ LDO 采用的设计理念，包括 IGND 电流随输出电流的比例增加。IGND 在 IOU 大于 2 mA 开始增加。

在NCP4681 和 NCP4624 这两款超低 IQ LDO 中，接地电流 IGND 随着输出电流比例的增加。

相比常数IGNDLDO，NCP4681/NCP4624稳压器规格表明，比例偏置法LDO显著提高了电源抑制比（PSRR）与负载瞬态性能相比。NCP4681在100Hz和IOUT=30mA时把PSRR提升15dB。根据产品规格书，在这种额定电流和频率以及 1.5 V 输出、2.5 V在输入电压下，额定 PSRR 为 53 dB，当输出电流降至 1 mA 保持不变。尽管比例偏置技术与常数 相比IGND LDO 可以提高动态性能，但不能完全满足一些苛刻的应用。

其实有些应用要求超低 IQ LDO 有更好的 PRSS 性能IQ LDO 稳压器除瞬态响应外，LDO 噪声和PSRR也是必须考虑的重要技术指标。TexasInstruments开发出TPS727xx系列超低IQLDO，该系列设备具有非常高的 PSRR、超低噪声和优异的瞬态响应性能。 TI 先进 BiCMOS 工艺和 PMOS FET 无源设备实现了这一性能。例如， 250 mA TPS72718，当输出电压为 时1.8 V、输入电压为 2.3 V输出电流为 2.3 mA 时，它的 1 kHz 下的 IQ 为 7.9 μA、PSRR 为 70 dBHz 至 100 kHz在类似的输入输出条件下，输出电压噪声仅 33.5 μVrms。

超低 IQ LDO TPS72718 输入输出电压差为 0.5 V、输出电流为 10 mA 、1 kHz 频率时的 PSRR 大于 70 dB。

同样，为了在增强动态性能的同时保持超低IQ，ONSemiconductor还采用了一种叫做自适应接地电流的新技术。LDO在不削弱动态性能的情况下，可以在一定输出电流水平下提高接地电流。因此，在负载/线路瞬态性能优异的情况下， PSRR 在性能的同时，最大限度地降低输出噪声。此类设备正在优化，以模拟敏感性/射频电路供电。

总之，现代 LDO 结合工艺技术和电路设计优势，实现超低 IQ LDO 同时，负载瞬态，PSRR 和输出噪声等动态参数保持高性能。

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