迅瑞告诉你关于惠州MX113L芯片的一些知识

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迅瑞告诉你关于MX113L芯片的一些知识：

①防共态导通电路

在全桥驱动电路中，将半桥内的高边PMOS功率管和低边NMOS功率管同时导通的状态称为共态导通状态。共态导通将出现一个电源至地的瞬态大电流，该电流会引起额外的功耗损失，极端情况下会烧毁电路。通过内置死区时间，可避免共态导通。典型的死区时间为 300ns。

②过热保护电路

当驱动电路结温超过预设温度(典型值为 150℃)时，TSD 电路开始工作，此时控制电路强制关断所有输出功率管，驱动电路输出进入高阻状态。TSD 电路中设计了热迟滞，只有当电路的结温下降到预设温度典型值 130℃)时，电路返回正常工作状态。

③驱动电路最大持续功耗

H桥驱动电路内部设计有过热保护电路，因此当驱动电路消耗的功耗过大时，电路将进入热关断模式，热关断状态下电路将无法正常工作。驱动电路最大持续功耗的计算公式为：PM=(150℃-TA)/θJA其中150℃为热关断电路预设温度点，TA 为电路工作的环境温度(℃)，θJA 为电路的结到环境的热阻(单位℃/W)。注意：驱动电路的最大持续功耗与环境温度、封装形式以及散热设计等因素有关，与电路导通内阻并无直接关系。

H 桥驱动电路内部功率 MOSFET 的导通内阻是影响驱动电路功耗的主要因素。驱动电路功耗的计算公式为：PD=IL2*RON其中 IL表示 H 桥驱动电路的输出电流，RON表示功率 MOSFET 的导通内阻。注意：功率 MOSFET 的导通内阻随着温度的升高而升高，在计算电路的最大持续输出电流以及功耗时必须考虑导通内阻的温度特性。

6、驱动电路最大持续输出电流

根据驱动电路的最大持续功耗以及驱动电路功耗可计算出驱动电路的最大持续输出电流，其中的RONT为考虑温度特性后的功率MOSFET导通内阻。注意：驱动电路的最大持续输出电流与环境温度、封装形式、散热设计以及功率 MOSFET 的导通内阻等因素有关。

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